Centro de pesquisa de tecnologia de iluminação inteligente para desenvolver nova tecnologia de iluminação LED

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Rensselaer Polytechnic Institute (RensselaerPolytechnicInstitute), o centro de pesquisa em tecnologia de engenharia de iluminação inteligente anunciou anteriormente que conseguiu o mesmo nitreto de gálio (GaN) sobre a integração do LED e transistores de potência. Os pesquisadores disseram que a nova geração de inovação tecnológica LED estará batendo na porta, porque é mais barato fabricar, mais eficiente e as novas funcionalidades e aplicações muito além da categoria de iluminação.

Centro de pesquisa de tecnologia de iluminação inteligente para desenvolver nova tecnologia de iluminação LED

O núcleo do sistema de iluminação LED atual é feito de chips LED de nitruro de gálio, mas muitos componentes externos, como indutores, capacitores, interconexão e fiação de silício, devem ser instalados ou integrados no chip. A integração desses elementos essenciais da bolacha de tamanho grande aumentará de novo a complexidade do projeto de iluminação. Além disso, este complexo processo de montagem do sistema de iluminação LED é bastante lento, não só requer muita operação manual, e o preço é caro.

Rensselaer Polytechnic Institute Engenharia de Sistemas e Computadores Eletrônicos O Professor T.PaulChow liderou um estudo que está tentando ter pleno uso através do desenvolvimento de uma fabricação de componentes de GAN para responder a esses desafios. Estes chips autónomos totalmente integrados simplificam o fabrico, a montagem e a redução das etapas necessárias para automatizar. Além disso, o uso de um único chip, de modo que as peças também podem reduzir a taxa de falha e melhorar a eficiência energética e a relação custo-eficácia e a flexibilidade no design da iluminação.

Chow e equipes de pesquisa estão diretamente nos transistores de mobilidade eletrônica de alta circulação de GaN (HEMT) no topo do crescimento da estrutura do GaN LED. Eles usam vários tipos de técnicas básicas para interligar as duas regiões, criando o que eles chamam de primeiro integrado no mesmo chip GaN HEMT e componentes independentes de LED. Os componentes marcados em substratos de pedra azul crescidos, mostrando a saída de luz e a densidade óptica e os componentes padrão do LED GaN podem ser comparados. Chow disse que o estudo para o desenvolvimento de novas emissões para o circuito de integração (circuito integrado, LEIC) é muito importante.

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